2026 年 6 月 25 日，Samsung Electronics、SK Hynix 和 Micron 在美国加州北区联邦地区法院遭遇反垄断集体诉讼。
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案件名为 Garciaguirre et al v. Samsung Electronics Co., Ltd. et al，案号 5:2026cv06345，诉由指向美国《谢尔曼反托拉斯法》第 1 条，原告要求陪审团审理。
这起诉讼的核心指控，在 AI 需求推高内存消耗、全球 DRAM 供给趋紧的背景下，三大存储厂商并非只是被动受益，而是涉嫌通过控制 DRAM 供应和价格，放大市场短缺，推高终端产品中的内存成本。
原告称三星、SK Hynix 和 Micron 加剧了所谓 “RAMpocalypse”，即普通内存价格飙升和供应紧张局面。
从被告名单看，案件不只针对三家母公司，还包括 Samsung Semiconductor、SK Hynix America 等美国实体。
原告阵容则包括多名个人消费者以及 Troy’s Computers、JB Tech Solutions 等企业买家，这起诉讼试图覆盖个人电脑、服务器、电子设备等更广泛的 DRAM 购买链条。
元股证券:ygzq.hkAI 数据中心正在吞噬全球高端内存产能，HBM、DDR5、服务器内存持续紧张，Micron、Samsung 和 SK Hynix 也在推动长期供货协议。
Micron 已披露来自 Nvidia 等客户的 220 亿美元长期供货承诺，而 Samsung、SK Hynix 也在与客户签订长期供应协议。
内存行业的商业逻辑正在发生变化。
过去 DRAM 是典型周期品，价格随消费电子需求大起大落；但在 AI 时代，存储芯片不再只是 PC 和手机里的配件，而成了训练、推理和数据中心扩张的关键资源。
Reuters 指出，客户现在不再简单将 Micron 这类公司当作可互相压价的商品供应商，而是当作需要提前锁定产能的战略伙伴。
不过，诉讼指控能否成立仍是另一回事。
历史上，DRAM 行业多次卷入价格操纵争议，但近年的类似案件并不顺利。
2022 年，第九巡回上诉法院维持驳回一起针对 Samsung、Micron 和 SK Hynix 的 DRAM 间接购买者反垄断诉讼，理由是原告未能充分证明三家公司之间存在可被推断的价格固定协议。
当前案件的关键不在于“内存是不是涨价了”，而在于原告能否拿出证据证明三家公司存在协调行为。
如果只是各家公司在 AI 热潮下独立转向更赚钱的 HBM 和服务器内存，法律上未必构成合谋；但如果能够证明它们通过沟通、默契或协议共同压低普通 DRAM 供应，案件性质就会完全不同。
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